在对低电阻率晶锭和晶圆进行非接触式测量方式上拥有非常重要的重复性Si | Ge | 化合物半导体 | 宽带隙 | 材料 | 金属 | 导电 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]
特征 ：
| 电阻率的非接触式测量和成像 | 高频涡流传感原理与集成红外温度传感器可校正样品的温度变化 |
| 信号灵敏度 | 基于线圈频率读数（正在申请专利）的高信号灵敏度，可实现准确可靠的电阻率测量，并具有高再现性和可重复性 |
| 测量时间 | 测量时间 < 3 s，测量之间时间 < 1 s |
| 测量速度 | 200 mm 晶圆/晶锭 < 30 s，9个点 |
| 多点测量及测绘显示 | 不超过9999个点 |
| 材料外形尺寸 | 平坦或略微弯曲的晶圆、晶锭、锭板、毛坯和薄膜 |
| X-Y位置分辨率 | ≥ 0.1mm |
| 边缘扣除 | 5 mm |
| 可靠性 | 模块化、紧凑的台式仪器设计，可靠性高，正常运行时间 > 99% |
| 电阻率测量的重复性 | ≤ 0.15%，基于使用ANOVA Gage R&R方法对材料系统分析（MSA） |
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