RIE反应离子刻蚀机的产品介绍

PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。
●直开式设计允许快速装卸晶圆
●出色的刻蚀控制和速率测定
●出色的晶圆温度均匀性
●晶圆z大可达200mm
●购置成本低
●符合半导体行业S2/S8标准
应用
●III-V族材料刻蚀工艺
●硅Bosch和超低温刻蚀工艺
●类金刚石（DLC）沉积
●二氧化硅和石英刻蚀
●用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片,裸晶片，以及200mm晶圆
●用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀
系统特点
●小型系统——易于安置
●优化的电极冷却系统——衬底温度控制
●高导通的径向（轴对称）抽气结构——确保能提升工艺均匀性和速率
●增加<500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录
●近距离耦合涡轮泵——抽速高迅速达到所要求的低真空度
●关键部件容易触及——系统维护变得直接简单
●X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力，并且可以实现更快更可重复的匹配
●通过前端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度快
●用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度（例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界
●用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测——监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测
RIE of InP waveguide
7?m polyimide feature RIE
Sub?m Si mesa etch
Deep Si feature etch by ICP-RIE
cryo process
Failure analysis-fast metal layer
exposure in the PlasmaPro FA ICP
新增:PTIQ软件
PTIQ是针对PlasmaPro和Ionfab工艺系统而开发的z新智能软件解决方案。
●对响应系统出色的控制水平
●zda化系统性能与工艺性能
●多级别软件配置以匹配用户需求
●全新的视觉布局与设计界面
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