3500V功率器件静态参数测试设备

普赛斯3500V功率器件静态参数测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；

  普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

“双高”系统优势

    高电压、大电流

    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(z大可扩展至10kV)

    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

    高精度测量

    nA级漏电流,  μΩ级导通电阻

    0.1%精度测量

    模块化配置

    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

    测试效率高

    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

    支持国标全指标的一键测试

    扩展性好

    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目
       集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
       集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
       栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
       输入电容、输出电容、反向传输电容
       续流二极管压降Vf
       I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

     半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪
     http://www.qsjx.com.cn/goods/show-62440.html
     功率半导体器件CV测试系统
     http://www.qsjx.com.cn/goods/show-62442.html
     igbt测试设备igbt测试仪
     http://www.qsjx.com.cn/goods/show-62452.html
     国产精密电流源+源表厂家
     http://www.qsjx.com.cn/goods/show-62453.html
     半导体性能测试数字源表SMU源表
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     霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备
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